SJ 2214.5-1982
半导体光敏二极管结电容的测试方法
Method of measurement for junction capacitance of semiconductor photodiodes
- 标准号
- SJ 2214.5-1982
- 发布日期
- 1982年11月30日
- 实施日期
- 1983年07月01日
- 废止日期
- 无
- 中国标准分类号
- L54
- 国际标准分类号
- 31.260
- 发布单位
- 行业标准-电子
- 代替标准
- SJ/T 2214-2015
SJ 2214.5-1982相似标准
推荐
关于thorlabs雪崩二极管的知识点
thorlabs雪崩二极管相信大家都知道，它在电子电路中起到一个非常关键的作，它有一个非常重要的特性--单向导电性。也就是说电流只能从正极（阳极）流向它的负极（阴极），我们就可以利用二极管这个特性来实现整流、检波、限幅、保护等等作用。 thorlabs雪崩二极管是利用半导体PN结中的雪崩倍增效应及载流子的渡越时间效应产生微波振荡的半导体器件。...
来看，影响硅光电倍增管（SiPM/MPPC）性能的参数有哪些
【工程师解析】1、滨松通过LCR测试仪用于MPPC的终端电容测量，测量条件：偏压为VOP，频率为100 kHz；2、每个APD的结电容近似等于终端电容除以像素数量，以S13360-3050为例，像素的结电容为：除此之外，也可以通过增益来计算APD的结电容，以S13360-3050为例，像素的结电容为：可以发现，两者计算的结电容值相近。...
光电二极管的技术参数
光电二极管和一般的半导体二极管相似，可以暴露（探测真空紫外）或用窗口封装或由光纤连接来感光。...
【材料】摩擦起电用于实现主动式模拟信号调控
所有这些摩擦电子学器件都是基于摩擦电子学晶体管的理论模型，即将摩擦产生的静电势施加到MIS电容器上，用于调节半导体中载流子的输运特性。除此之外，二极管中PN结的结电容作为一种电容性负载，也可以通过摩擦静电势进行调节，从而为实现主动式的模拟信号调制提供了一个新的解决方案。...