5.11 半导体三极管的好坏检测a;先选量程:R﹡100或R﹡1K档位 b;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值:红表笔接基极,黑表笔接发射极,所测得阻值为发射极正向电阻值,若将黑表笔接集电极(红表笔不动),所测得阻值便是集电极的正向电阻值,正向电阻值愈小愈好.c;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的反向电阻值:将黑表笔接基极,红表笔分别接发射极与集电极,所测得阻值分别为发射极和集电极的反向电阻...
注意:测量半导体器件一般选择"0~20",而"0~200"用来测试器件的反向击穿电压。"功耗限制电阻"串连在电路中起保护作用,避免过大电流流过被测管。 测量二极管时,调节JT-1的"集电极扫描单元"的控制旋钮,使"极性"为"+","峰值电压范围"为"0~20V","峰值电压"先旋为"0",正式测量时加大到所需值。...
图5 MoS2双极型光电晶体管的光电探测性能表现(a)不同激光照射强度下,MoS2 npn晶体管的光响应特性;(b) 固定集电极-发射极偏压VCE = 1 V条件下,使用Si背栅测量的转移曲线;(c)不同光照强度下器件的响应度和阈值电压偏移ΔVth;(d) VCE = 0和1 V条件下npn双极光电晶体管中光电流的空间分布图;(e)光电流在器件内的横向分布与器件的极化图案(PFM相位图)对比;(f)...
插图为代表性器件在12Gbit/s时循环测试的光学数据。光伏器件在混合维度vdW异质结构中,石墨烯-硅异质结是目前在光伏材料中研究量最多的。最早一代的器件是通过在Si上刻蚀热生长的SiO2小窗,能量转换效率(PCEs)为2%。之后一代的光伏器件包含了精细硅钝化、增透膜、化学掺杂石墨烯等来最大化功函数差异以及载流子收集效率,这使得PCE增加到了8%。...
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