半导体光耦合器入出间隔离电容的测试方法, 您可以免费下载预览页
化合物半导体中的载流子注入效应很容易产生较大的折射率变化, 基于化合物半导体材料的X 结全内反射型光开关可以采用更大的交叉角, 使得器件结构更为紧凑. 采用了多模干涉(MMI)3 dB 耦合器的马赫曾德干涉型(MZI)光开关继承了载流子注入效应和多模干涉结构偏振、波长不敏感[13]的优点, 同时具有低功耗的特点.本文首先介绍了在全内反射型光开关的分析模型上所做的一些理论工作....
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