碳化硅(SiC)已成为工业电子领域最重要的宽禁带半导体之一,由于其高热导率、高击穿场强、高电子饱和漂移速率等优势,特别是对于功率半导体器件,碳化硅优于硅,更受青睐。成熟的商用碳化硅器件如碳化硅肖特基二极管和MOSFETs(金属氧化物半导体场效应晶体管),这些器件已应用于铁路、工业逆变器、航空航天、可再生能源风力涡轮机或光伏发电,以及电动或混合动力汽车等领域。...
从左到右依次依次为:结型场效应管,多晶硅金属—氧化物—半导体场效应管,双栅极金属—氧化物—半导体场效应管,金属栅极金属—氧化物—半导体场效应管,金属半导体场效应管。 耗尽层 , 电子 , 空穴 ,金属,绝缘体. 上方:源极,下方:漏极,左方:栅极,右方:主体。电压导致沟道形成的细节没有画出 掺杂FET(解释如下)的沟道用来制造N型半导体或P型半导体。...
目前,互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路(14/10纳米技术节点)工作电压已经降低到了0.7V,而金属氧化物半导体场效应晶体管中亚阈值摆幅(60毫伏/量级)的热激发限制导致其工作电压不能低于0.64V。因此,开发室温下亚阈值摆幅小于60毫伏/量级且开态电流大、性能稳定、制备简单的超低功耗晶体管,对于推动CMOS技术发展,实现超低功耗的集成电路具有重要意义。 ...
四、功率半导体器件分类功率半导体按照不同的分类标准可以进行如下分类:1.按照控制特性分类不控型器件:即正向导通反向阻断,如常见的功率二极管;半控型器件:除了正负极,还有控制极,一旦开通无法通过控制极(栅极)关断,这类主要是指晶闸管(Thyristor)和它的派生器件;全控型器件:可通过栅极控制开关,常见的有双极结型晶体管(BJT)、栅极关断晶闸管(GTO)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET...
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