IEC 63068-1:2019
半导体器件.功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别标准.第1部分:缺陷分类
Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 1: Classification of defects
- 标准号
- IEC 63068-1:2019
- 发布
- 2019年
- 发布单位
- 国际电工委员会
- 当前最新
- IEC 63068-1:2019
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