例如, 通过研究星际分子云的太赫兹频段频谱特性, 可探究宇宙的起源;分析原子和分子散射出来的频谱信息, 可研究宇宙中的新生星系的形成等。在太赫兹无损检测方面, 太赫兹辐射的光子能量低, 对穿透物不会造成损伤, 并且可以穿过大多数介电物质. 太赫兹波这一特点对于检测非导电材料中的隐藏缺陷或者特殊标记具有很大的发展空间,一般称为无损检测,比如检测油画、航天器和半导体器件等。...
碳化硅外延层及其厚度测定的重要性 SiC功率器件往往需要通过在SiC 衬底上生成所需的薄膜材料形成外延片,从而更易于获得完美可控的晶体结构,更利于材料的应用开发。随着外延生长技术的进步,SiC外延层厚度也从几µm发展到上百μm,也从同质外延发展为异质等多种晶体。 对外延片品质影响最大的是外延层的厚度以及电阻率的均匀性,因此在实际生产中对延片的厚度进行测量是很重要的一环。 ...
半导体设备对整个半导体行业起着重要的支撑作用。因半导体制造工艺复杂,各个环节需要的设备也不同,从流程工序分类来看,半导体设备主要可分为晶圆制造设备(前道工序)、封装测试设备(后道工序)等。本文是半导体设备专题栏目的第 1 篇文章,介绍晶圆制造的头道工序设备——单晶炉。直拉式单晶硅生长炉是一种高效率制备硅单晶体的设备。...
由于CREE在电力电子用碳化硅材料和器件的垄断地位迫使很多功率企业采取GaN技术路线作为下一代功率半导体器件的发展方向。为了降低成本,基本上采用Si衬底上生长GaN外延并采用成熟的CMOS兼容工艺制备器件。近年来GaN的单晶基体材料也有了突破进展,已经能够生长出2英寸外延。美国曾经有一家企业AVOGY曾经试图采用GaN同质外延生产PIN功率二极管和其他开关管,但是由于材料成本昂贵,并不成功。...
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