目前,用于X射线实时成像技术的数字化平板探测器主要包括两种:1)基于闪烁体的间接成像技术(利用闪烁体先将高能量X射线转换成低能量的紫外或可见光光子,再由光电探测器进行探测);2)基于半导体的直接成像技术(利用半导体的光电导特性直接将X光光子转换成电荷)。...
在轨运行时间要求器件抗总剂量能力长期(多于5年)大于100Krad(Si)中期(3至5年)10至100Krad(Si)短期(少于3年)小于10Krad(Si)按上表选择长期运行抗总剂量辐射的半导体器件,其抗辐射总剂量的能力应大于100krad(Si),当RDM取2时,则应选RHA为F等级的器件。当所选器件无RHA要求时,应进行辐射总剂量评估试验(RET)以摸清器件的抗总剂量辐射的能力。...
Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号