QJ 10004-2008
宇航用半导体器件总剂量辐射试验方法
Total dose radiation testing method of semiconductor devices for space applications
- 标准号
- QJ 10004-2008
- 发布
- 2008年
- 发布单位
- 行业标准-航天
- 当前最新
- QJ 10004-2008
- 引用标准
- GB 4792-1984 GJB 1649-1993 GJB 2712-1996 GJB 3756-1999
- 适用范围
- 本标准规定了采用钴60γ射线对宇航用半导体器件（以下简称器件）进行电离总剂量辐照试验的一般要求和试验程序、方法。 本标准适用于宇航用半导体器件辐照评估试验和验证试验。
QJ 10004-2008相似标准
推荐
超强抗辐射碳纳米管器件与电路研究新进展
研究显示，局域底栅碳纳米管晶体管和静态随机存储器在受到2.8×1013 MeV/g的位移损伤辐照后，仍可承受2 Mrad（Si）的电离总剂量辐照和104 MeV·cm2/mg的等效激光单粒子辐照，且综合抗辐射能力优于硅基器件四倍（图2）。上述成果证明，碳纳米管器件和电路具有超强的抗辐射能力，为下一代宇航芯片研制开辟了重要的技术路径。 ...
航天元器件抗辐射能力选择
在轨运行时间要求器件抗总剂量能力长期（多于5年）大于100Krad（Si）中期（3至5年）10至100Krad（Si）短期（少于3年）小于10Krad（Si）按上表选择长期运行抗总剂量辐射的半导体器件，其抗辐射总剂量的能力应大于100krad（Si），当RDM取2时，则应选RHA为F等级的器件。当所选器件无RHA要求时，应进行辐射总剂量评估试验（RET）以摸清器件的抗总剂量辐射的能力。...