IEC 60747-5-16:2023
半导体器件.第5-16部分:光电子器件.发光二极管.基于光电流光谱的GaN基发光二极管的平带电压的试验方法
Semiconductor devices - Part 5-16: Optoelectronic devices - Light emitting diodes - Test method of the flat-band voltage of GaN-based light emitting diodes based on the photocurrent spectroscopy
IEC 60747-5-16:2023相似标准
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（d）记录写作模式以及写作中施加力的压电发光器件。a.u. 任意单位。CB, 导带。PL, 光致发光。VB, 价带。Epiezo，压电电位。2.3 发光二极管中的压电光电子学来源于半导体的光发射主要依靠载流子注入，结合以及溢出的效率，最近，基于ZnO纳米薄膜/p-Si基异质结构被报道出来，这种材料在压应变的条件下可以增强发光强度。空间应力的分布不同可导致局部的发光强度不同。...
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