1.2 半导体材料性能对比随着Si材料的瓶颈日益突出,以砷化镓(GaAs)为代表的第二代半导体材料开始崭露头角,使半导体材料的应用进入光电子领域,尤其是在红外激光器和高亮度的红光二极管等方面。第三代半导体材料的兴起,则是以氮化镓(GaN)材料p型掺杂的突破为起点,以高亮度蓝光发光二极管(LED)和蓝光激光器(LD)的研制成功为标志,包括GaN、碳化硅(SiC)和氧化锌(ZnO)等宽禁带材料。...
相关研究得到国家自然科学基金、国家重点研发计划、中科院前沿科学重点研究计划、王宽诚教育基金,普渡大学ITaP计算资源、中科院跨学科创新团队等的经费支持。ScCxOH的合成示意图及相应光探测器件的光电流-电压曲线...
ScCxOH的合成示意图及相应光探测器件的光电流-电压曲线 宁波材料所先进能源材料工程实验室前期的理论工作表明,Sc2C是MXenes体系中唯一一个半导体特性不依赖于表面官能团的组员,此外羟基官能化的Sc2COH被预测具有直接带隙特性。但是,过渡金属Sc很难形成相应的含Al的MAX相结构。...
图2| 光电子能谱分析半导体器件的离子抛光全尺寸样品要点:1.图 2 显示了在 80℃ 的环境空气(相对湿度为 80%)中加速老化 5 小时之前和之后,从带有(目标)和不带有(对照)YbOx 缓冲层的样品中测得的 ESL 及其与金属电极界面中化学成分变化的 XPS 数据。采用机械剥离法将铜电极与样品堆的其他部分分层。分层的 Cu 被称为 Cu 面,另一面则为基底面。...
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