ASTM F617-00
测量 MOSFET 线性阈值电压的标准测试方法（2006 年撤回）
Standard Test Method for Measuring MOSFET Linear Threshold Voltage (Withdrawn 2006)
- 标准号
- ASTM F617-00
- 发布
- 2017年
- 发布单位
- 美国材料与试验协会
- 当前最新
- ASTM F617-00
- 适用范围
- 1.1 该测试方法涵盖在极低扫描速率或直流条件下测量 MOSFET（见注 1）线性阈值电压。它是一种适用于 MOSFET 工作线性区的直流电导方法，其中典型漏极电压 VD 约为 0.1V。注1——MOS是金属氧化物半导体的缩写； FET 是场效应晶体管的缩写。
1.2 该测试方法适用于增强型和耗尽型 MOSFET，以及绝缘体上硅 (SOI) 和体硅 MOSFET。该测试方法指定了专门适用于 n 沟道 MOSFET 的正电压和电流约定。负电压和负电流的替代使测试方法直接适用于p沟道MOSFET。
1.3 国际单位制（SI）中规定的值应被视为标准。本测试方法不包含其他测量单位。
1.4 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。