绝大多数半导体器件是在单晶片或以单晶片为衬底的外延片上作出的。成批量的半导体单晶都是用熔体生长法制成的。直拉法应用最广，80%的硅单晶、大部分锗单晶和锑化铟单晶是用此法生产的，其中硅单晶的最大直径已达300毫米。在熔体中通入磁场的直拉法称为磁控拉晶法，用此法已生产出高均匀性硅单晶。在坩埚熔体表面加入液体覆盖剂称液封直拉法，用此法拉制砷化镓、磷化镓、磷化铟等分解压较大的单晶。...
批量生产的 InP、GaSb、InAs 开盒即用单晶片项目概况：InP、GaSb 单晶片主要作为衬底材料外延生长各种微波器件用微结构外延材料（如HEMT、HBT）、大功率激光器等的多量子阱材料，中长波红外探测器材料等，其主要应用领域包括移动通信、卫星通信、导航、光纤通信、高效太阳能电池、夜视、大气监测、国防技术等。...
研究硅基掺杂与缺陷调控及高效发光机理；研究硅基纳米结构高效发光材料与器件；研究硅基稀土掺杂/缺陷电致发光材料及器件；研究锗锡Ⅳ族直接带隙发光材料能带调控和相关器件；研究硅衬底上Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的外延生长及激光器。考核指标：突破硅基高效发光材料和器件难题，研制出硅衬底上的多种激光器。...
国内已开发出射频器件用2英寸SiC高阻衬底材料。目前能够批量供应2英寸GaN衬底，已开发出4英寸GaN衬底样品。外延材料国内已成功批量生产6英寸N型SiC外延片，6寸P型SiC外延材料实现批量生产。GaN外延材料方面，已实现商业化的6英寸Si基GaN外延材料和器件，GaN外延层厚度超过5μm（耐压600V）。...
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