GB/T 35308-2017
太阳能电池用锗基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片

Epitaxial wafers of germanium based Ⅲ-Ⅴcompounds for solar cell

太阳能电池用锗基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片 是非强制性国家标准，您可以免费下载前三页

非常抱歉，我们暂时无法提供预览，您可以试试：免费下载 GB/T 35308-2017 前三页，或者稍后再访问。

如果您需要购买此标准的全文，请联系：。

注意：点击下载后，生成下载文件时间比较长，请耐心等待......

标准号: GB/T 35308-2017
发布日期: 2017年12月29日
实施日期: 2018年07月01日
废止日期: 无
中国标准分类号: H83
国际标准分类号: 29.045
发布单位: 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

GB/T 35308-2017相似标准

GB/T 26072-2010 太阳能电池用锗单晶 GB/T 30861-2014 太阳能电池用锗衬底片 SJ 2572-1985 太阳能电池用硅单晶棒、片 T/JSAS 015-2021 单晶硅太阳能电池片 KS C 8566-2015(2020) 太阳能电池

推荐

国标委批准发布123项国家标准

2015-01-2268GB/T 30852-2014牵引电机用导电铜及铜合金型材2015-02-0169GB/T 30853-2014牵引电机用铜及铜合金锻环2015-02-0170GB/T 30854-2014LED发光用氮化镓基外延片2015-04-0171GB/T 30855-2014LED外延芯片用磷化镓衬底2015-04-0172GB/T 30856-2014LED外延芯片用砷化镓衬底...

质检总局和国标委批准发布123项国家标准

/T 30857-2014蓝宝石衬底片厚度及厚度变化测试方法2015-04-0174GB/T 30858-2014蓝宝石单晶衬底抛光片2015-04-0175GB/T 30859-2014太阳能电池用硅片翘曲度和波纹度测试方法2015-04-0176GB/T 30860-2014太阳能电池用硅片表面粗糙度及切割线痕测试方法2015-04-0177GB/T 30861-2014太阳能电池用锗衬底片...

解析半导体材料的种类和应用

绝大多数半导体器件是在单晶片或以单晶片为衬底的外延片上作出的。成批量的半导体单晶都是用熔体生长法制成的。直拉法应用最广，80%的硅单晶、大部分锗单晶和锑化铟单晶是用此法生产的，其中硅单晶的最大直径已达300毫米。在熔体中通入磁场的直拉法称为磁控拉晶法，用此法已生产出高均匀性硅单晶。在坩埚熔体表面加入液体覆盖剂称液封直拉法，用此法拉制砷化镓、磷化镓、磷化铟等分解压较大的单晶。...

国家重点研发计划：“光电子与微电子器件及集成”重点专项2018年度项目申报指南建议

研究硅基掺杂与缺陷调控及高效发光机理；研究硅基纳米结构高效发光材料与器件；研究硅基稀土掺杂/缺陷电致发光材料及器件；研究锗锡Ⅳ族直接带隙发光材料能带调控和相关器件；研究硅衬底上Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的外延生长及激光器。考核指标：突破硅基高效发光材料和器件难题，研制出硅衬底上的多种激光器。...

GB/T 35308-2017系列标准

GB/T 35303-2017 公共服务领域日文译写规范 GB/T 35304-2017 统一内容标签格式规范 GB/T 35305-2017 太阳能电池用砷化镓单晶抛光片 GB/T 35306-2017 硅单晶中碳、氧含量的测定低温傅立叶变换红外光谱法 GB/T 35307-2017 流化床法颗粒硅 GB/T 35313-2017 模块化存储系统通用规范 GB/T 35312-2017 中文语音识别终端服务接口规范 GB/T 35311-2017 中文新闻图片内容描述元数据规范 GB/T 35310-2017 200mm硅外延片 GB/T 35309-2017 用区熔法和光谱分析法评价颗粒状多晶硅的规程

GB/T 35308-2017太阳能电池用锗基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片