T/CIE 126-2021
磁随机存储芯片测试方法
Magnetic random access memory chip test method
- 标准号
- T/CIE 126-2021
- 发布
- 2021年
- 发布单位
- 中国团体标准
- 当前最新
- T/CIE 126-2021
- 本标准给出了磁随机存储(Magnetic Random-Access Memory; MRAM)芯片测试方法的术语、测试原理、测试环境、测试设备、测试程序等。 本标准适用于磁随机存储芯片测试和磁随机存储芯片关键性能（可靠性和电学参数等）验证。
T/CIE 126-2021相似标准
推荐
首个塑料柔性磁存储芯片问世
据每日科学网19日报道，在最新研究中，科学家首先将氧化镁基磁性隧道结（MTJ）种植在一个硅表面，接着蚀刻掉下面的硅，随后使用一种转印方法，在一个由聚对苯二甲酸乙二醇酯制成的柔性塑料表面，植入了一个磁性存储芯片。 新设备在磁阻式随机存取存储器（MRAM）上的操作表明，MRAM的性能在很多方面强于传统随机存取存储器计算机芯片，比如，处理速度更高、能耗更低、可在断电后存储数据等。 ...
可弯曲的存储芯片，你听说了吗？
他们首先将氧化镁基磁性隧道结（MTJ）种植在硅表面，然后再刻蚀掉底层的硅，随后使用转印方法，在一个由聚对苯二甲酸乙二醇酯制成的柔性塑料表面植入了一个磁性存储芯片。芯片在磁阻式随机存取存储器（MRAM）上的操作表明，MRAM的性能在许多方面都优于传统随机存取存储（RAM）器芯片，比如，处理速度更高、功耗更低、断电后可保留数据等。...
2018年战略性先进电子材料重点专项将获 1.77 亿国拨经费支持！
5.2 高密度磁存储材料及集成技术研究（共性关键技术类）研究内容：研究新型磁性隧道结材料及其器件结构的优化设计，研究磁随机存储器在多物理场协同作用下的低功耗写入原理与具体方式；研究电流驱动型磁随机存储器单元与阵列制造的整套关键工艺技术，研究与主流 12 英寸 CMOS 晶圆工艺兼容的磁性隧道结的纳米图型化和刻蚀制备方法，实现与 12 英寸磁电子工艺匹配的 CMOS 芯片控制电路设计，研制高密度磁存储芯片...