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大意为:集成电路上的元器件(例如晶体管)数目,每隔月18个月至两年便会增加一倍,性能也将提升一倍。这一定律是Moore对半导体工业发展的观察、统计和预测,并不是物理学或者自然定律。https://en.wikipedia.org/wiki/Moore''s_lawhttp://baike.baidu.com/view/17904.htm2....
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由(Bipolar Junction Transistor,BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(Metal Oxide Semiconductor,MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor...
基于该工艺,团队制备了MoS2晶体管器件,发现Sb(0112)面与MoS2的平均接触电阻比Sb(0001)面低3.47倍,平均电流密度提升38%,充分证明了Sb(0112)接触对器件性能的显著提升作用。大规模晶体管阵列的统计结果表明Sb (0112)接触的各类性能参数呈现优异的均一特性,有望应用于二维半导体的集成规模化制造。...
根据栅的结构,场效应晶体管可以分为三种: ①结型场效应管(用PN结构成栅极); ②MOS场效应管(用金属-氧化物-半导体构成栅极,见金属-绝缘体-半导体系统); ③MES场效应管(用金属与半导体接触构成栅极);其中MOS场效应管使用广泛。尤其在大规模的发展中,MOS大规模集成电路具有特殊的优越性。MES场效应管一般用在GaAs微波晶体管上。 ...
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