62417-2010 Dispositifs à semiconducteurs – Essais d’ions mobiles pour transistors à semiconducteur à oxyde métallique à effet de champ (MOSFETs) (Edition 1.0)
Semiconductor devices – Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) (Edition 1.0)
Dispositifs à semiconducteurs – Essais d’ions mobiles pour transistors à semiconducteur à oxyde métallique à effet de champ (MOSFETs) (Edition 1.0) 是非强制性国家标准，您可以免费下载前三页
This present standard provides a wafer level test procedure to determine the amount of positive mobile charge in oxide layers in metal-oxide semiconductor field effect transistors. . It is applicable to both active and parasitic field effect transistors. The mobile charge can cause degradation of microelectronic devices@ e.g. by shifting the threshold voltage of MOSFETs or by inversion of the base in bipolar transistors.