采用辉光放电质谱法(GDMS)对高纯硅基材料进行痕量杂质分析的难点在于K,P,As,Se,Br,Cr,Fe,Ni,Zn等不同程度的受到ArH,SiH,SiSi,SiAr等的干扰。借助于Element GD Plus自身的设备优势,该设备可以轻松解决以上测试难点,实现硅基材料中痕量杂质的超低检出限检测。...
T 19495.5-20042019/4/1GB/T 36590-2018高纯银化学分析方法 痕量杂质元素的测定 辉光放电质谱法2019/6/1GB/T 36592-2018铑粉化学分析方法 铂、钌、铱、钯、金、银、铜、铁、镍、铝、铅、锰、镁、锡、锌、硅的测定 电感耦合等离子体质谱法2019/6/1GB/T 36593-2018铱粉化学分析方法 银、金、钯、铑、钌、铅、铂、镍、铜、铁、锡、锌、镁、锰...
针对半导体行业需求,可实现高纯(≥5N)铜、铝、钛、钽、钼等高纯溅射靶材中70种以上杂质元素快速检测;硅、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等基材从原料至晶圆的全元素杂质检测;SiC等外延片镀层化学成分及杂质含量分布。...
部分摘录如下:申报号项目名称制修订完成年限YSCPZT2499-2020氮化镓化学分析方法 痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法制定2022HGCPZT2515-2020废弃化学品中氮、硫、氟、氯含量测定 氧弹燃烧 离子色谱法制定2021HGCPZT2516-2020高盐废水中铜、镍、铅、锌、镉含量测定 电感耦合等离子体发射光谱法制定2021YSCPZT2544-2020铜熔炼渣中铜、铁、硫、二氧化硅...
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