DB35/T 1146-2011
硅材料中杂质元素含量测定 辉光放电质谱法
Determination of Impurity Element Content in Silicon Materials by Glow Discharge Mass Spectrometry
- 标准号
- DB35/T 1146-2011
- 发布
- 2011年
- 发布单位
- 福建省地方标准
- 当前最新
- DB35/T 1146-2011
- 适用范围
- 本标准规定了测定硅材料中杂质元素含量的辉光放电质谱法（G D M S )所涉及的术语和定义、原理、试剂与材料、仪器设备、样品要求、样品要求、分析步骤、结果计算、允许偏差。 本标准适用于纯度不高于99.99999%的硅材料中的杂质元素L i、Be、B、N a、M g、A 1、P、K、T h、U等元素的测定
DB35/T 1146-2011相似标准
推荐
赋能创“芯” | 半导体材料痕量杂质固体进样检测解决方案
采用辉光放电质谱法（GDMS）对高纯硅基材料进行痕量杂质分析的难点在于K，P，As，Se，Br，Cr，Fe，Ni，Zn等不同程度的受到ArH，SiH，SiSi，SiAr等的干扰。借助于Element GD Plus自身的设备优势，该设备可以轻松解决以上测试难点，实现硅基材料中痕量杂质的超低检出限检测。...
太阳能级硅材料综合测试实验室获得计量认证证书
此次实验室资质认定，是在福建物构所起草制定的福建省地方标准《硅材料中杂质元素含量测定辉光放电质谱法》（DB35/T 1146-2011）的基础上，通过专家评审组的计量认证现场评审，最终获得了省质量技术监督局的批准。 太阳能级硅材料综合测试实验室是在福建省科技重大专项和中科院重要方向项目的支持下完成建设任务，主要开展多晶、单晶硅中杂质元素含量的测定工作。...
701项有色金属、化工石化等行业标准将制修订
-2010高纯钛化学分析方法 痕量杂质元素的测定 辉光放电质谱法推荐制定 2011原材料工业司全国有色金属标准化技术委员会北京有色金属研究总院 49YSFFZT3974-2010高纯钽化学分析方法 痕量杂质元素的测定 电感耦合等离子体质谱法推荐制定 2011原材料工业司全国有色金属标准化技术委员会北京有色金属研究总院 50YSFFZT3975-2010高纯钽化学分析方法 痕量杂质元素的测定 辉光放电质谱法推荐制定...
福建物构所三项福建省地方标准获准发布实施
近日，由中科院福建物质结构研究所牵头起草、兰国政研究员负责编写的两项地方标准“抗灰迹磷酸钛氧钾非线性光学单晶元件（DB35/T 1118-2011）”和“中小功率绿色和蓝色固体激光器晶体组件（DB35/T 1119-2011）”以及黄丰研究员负责编写的地方标准“硅材料中杂质元素含量测定辉光放电质谱法（DB35/T 1146-2011）”经福建省质量技术监督局批准发布实施。 ...