在所有SWNT测试源中,最大直径为1.5 nm的SWNT可伸缩晶体管具备最佳性能,其迁移率为15.4 cm2/Vs,开/关比> 103。大带隙器件对应力具有更高的灵敏度,且依赖于电介质的厚度;而接触受限器件则明显表现出较小的应力依赖性。...
【引言】信息的记录、存储与传播一直是推动人类社会历史进步的动力。随着科学技术的飞速发展,日常生活中人们的信息总量呈爆炸性增长。这就要求我们可以有存储容量更大、读写速度更快、 功耗更低、单位存储体积更小的高性能存储器以满足指数增长的信息存储的需要。作为半导体市场终端产品的一部分及半导体市场的核心组成之一,非易失型存储器被预测在 2022 年的产值达到 805 亿美元。 ...
【小结】该系统集成了一种基于氧化铟半导体微米线阵列的图像传感器件与一种基于原子层沉积的氧化铝阻变式忆阻器件。通过外界紫外光线的激发,图像传感器的电阻状态将从高阻态(HRS)转变为低阻态(LRS)。当其阻值降低到一定值,将使串联的忆阻器件两端的电压达到忆阻器的开启电压,进而激发忆阻器从高阻态转换为低阻态,这两种状态分别对应于逻辑电路中的off(1)和on(0)状态。...
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