非常抱歉,我们暂时无法提供预览,您可以试试: 免费下载 DIN EN IEC 63373:2023-08 前三页,或者稍后再访问。
您也可以尝试购买此标准,
点击右侧 “立即购买” 按钮开始采购(由第三方提供)。
此外, 基于氮化镓(GaN) 工艺的大功率高频器件也迅速拓展至毫米波频段. 下面将分别进行介绍.1.1 GaAs 和InP 毫米波芯片近十几年来, GaAs 和InP 工艺和器件得到了长足的进步. 基于该类工艺的毫米波器件类型主要有高电子迁移率晶体管(HEMT)、改性高电子迁移率晶体管(mHEMT) 和异质结双极性晶体管(HBT)等....
GaN HEMT提供较传统MOSFET更低的门极电荷和导通电阻,从而实现高频条件下的更高电源转换能效。 演示板设计为240 W通用板,它输出20 A的负载电流和12 V输出电压, 功率因数超过98%,满载时总谐波失真(THD)低于17%。电源转换器前端采用功率因数校正(PFC) IC,将AC转换为调节的385 V DC 总线电压。升压转换器中的电感电流工作于CCM。...
氮化镓(GaN)是一种宽禁带半导体,第三代半导体的典型代表。与第一代半导体硅基的器件相比,GaN器件具有更高耐压、更快开关频率、更小导通电阻等特性,在功率电子器件领域得到广泛应用。...
驱动器测试方法2024/1/151GB/T 42989-2023人工影响天气术语2024/1/152GB/T 43023-2023射频声表面波(SAW)器件和体声波(BAW)器件的非线性测量指南2024/1/153GB/T 43024.2-2023压电、介电和静电振荡器的测量技术 第2部分:相位抖动测量方法2024/1/154GB/T 43027-2023高压电源变换器模块测试方法2024/1/155GB...
Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号