碳化硅单晶用高纯石墨粉, 您可以免费下载预览页
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记者今天从中国科学院上海硅酸盐研究所获悉,该所科技人员立足自主研发,在掌握直径2英寸、3英寸碳化硅单晶生长技术之后,2月4日,成功生长出直径4英寸4H晶型碳化硅单晶,这标志着我国碳化硅单晶生长技术达到了国际一流水平。 据介绍,碳化硅单晶是一种宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大,饱和漂移速度高,临界击穿场强大,热导率高等诸多特点,主要用于制作高亮度LED、二极管、MOSFET等器件。...
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