图1 缺陷对杂质的吸收用偏光金相显微镜还可以看出单晶硅片的分布规律:边缘的缺陷密度小,中心的缺陷密度大。可以从图2和图3两幅图中明显的看出。 图2 单晶硅片中心缺陷分布 图3 单晶硅片边缘缺陷分布在实验过程中拍摄了一组比较典型的位错缺陷图片。对于位错来说,不同晶面上的位错坑的形态不一样。...
研究人员以碳化硅颗粒增强铜金属基复合材料(Cu/SiCp)为研究对象,使用分子动力学方法模拟其降温处理过程。研究发现,降温过程金属基体中的位错密度演化经历了难以形核、快速生成和缓慢发展三个主要阶段。...
对微砷钢的研究还发现,950℃及1100℃下保温0.5h水冷后组织以马氏体为主,当保温时间延长到2h后,组织则以铁素体为主,其中1100℃下保温2h水冷最终形成的铁素体较原始有明显长大;热处理过程中,碳化物的数量随着保温温度和保温时间的增长而减少,其中Cr的碳化物最先溶解,其次是Nb,Ti的碳化物最为稳定;样品的位错密度随着温度及时间的增长而减小,在1100℃保温0.5h后位错基本消失,此时完成了再结晶过程...
导致缺陷产生的主要原因是晶体在生长过程中温度分布不均,晶体内不同程度的热应力会引起微管密度和多晶界的增加。因此晶体生长过程中的温度调控对提升晶体质量而言是关键所在。为解决大尺寸碳化硅单晶生长中的温度分布不均匀问题,我们提出了3段式电阻加热法。 ...
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