本文件规定了半导体级碳化硅单晶用超高纯石墨粉的术语和定义、材料规格说明、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标识、包装、运输和贮存、质量承诺。 本文件适用于纯度达到5 N(99.999 wt%)以上的半导体级碳化硅单晶用石墨粉。
T/ZZB 2283-2021由中国团体标准 CN-TUANTI 发布于 2021-08-26,并于 2021-09-03 实施。
T/ZZB 2283-2021在国际标准分类中归属于: 29.050 导体材料。
据浙江大学杭州国际科创中心发布,近日浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室和浙江大学硅材料国家重点实验室在浙江省“尖兵计划”等研发项目的资助下,成功生长出厚度达到 50 mm 的 6 英寸碳化硅单晶。该重要进展意味着,碳化硅衬底成本有望大幅降低,半导体碳化硅产业发展或将迎来发展新契机。...
记者今天从中国科学院上海硅酸盐研究所获悉,该所科技人员立足自主研发,在掌握直径2英寸、3英寸碳化硅单晶生长技术之后,2月4日,成功生长出直径4英寸4H晶型碳化硅单晶,这标志着我国碳化硅单晶生长技术达到了国际一流水平。 据介绍,碳化硅单晶是一种宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大,饱和漂移速度高,临界击穿场强大,热导率高等诸多特点,主要用于制作高亮度LED、二极管、MOSFET等器件。...
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