GB/T 30656-2014
碳化硅单晶抛光片
Polished monocrystalline silicon carbide wafers
GBT30656-2014, GB30656-2014
2023-10
- 标准号
- GB/T 30656-2014
- 别名
- GBT30656-2014, GB30656-2014
- 发布
- 2014年
- 发布单位
- 国家质检总局
- 替代标准
- GB/T 30656-2023
- 当前最新
- GB/T 30656-2023
- 引用标准
- DIN 50448 GB/T 13387 GB/T 13388 GB/T 14140 GB/T 14264 GB/T 1555 GB/T 29505 GB/T 29507 GB/T 31351 GB/T 6616 GB/T 6619 GB/T 6620 GB/T 6624
- 适用范围
- 本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书及订货单(或合同)内容。本标准适用于4H及6H碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅单晶抛光片。产品主要用于制作半导体照明及电力电子器件的外延衬底。
GB/T 30656-2014相似标准
推荐
浙大成功生长出50mm厚6英寸碳化硅单晶
针对挑战，浙江大学通过设计碳化硅单晶生长设备的新型热场、发展碳化硅源粉的新技术、开发碳化硅单晶生长的新工艺，显著提升了碳化硅单晶的生长速率，成功生长出了厚度达到 50 mm 的 6 英寸碳化硅单晶。而且碳化硅单晶的晶体质量达到了业界水平。...
中科院上海硅酸盐所研发出4英寸碳化硅单晶
记者今天从中国科学院上海硅酸盐研究所获悉，该所科技人员立足自主研发，在掌握直径2英寸、3英寸碳化硅单晶生长技术之后，2月4日，成功生长出直径4英寸4H晶型碳化硅单晶，这标志着我国碳化硅单晶生长技术达到了国际一流水平。 据介绍，碳化硅单晶是一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大，饱和漂移速度高，临界击穿场强大，热导率高等诸多特点，主要用于制作高亮度LED、二极管、MOSFET等器件。...
突破传统！这种材料如何实现纳秒级开关？
这是该刊物首次刊登关于碳化硅单晶基光导开关的研究论文。采用透明电极的碳化硅单晶基光导开关正极（左图）、负极（中图）结构示意图和采用改变输入激光的峰值功率密度与光照面积连续调控器件导通电阻的结果（右图） 以上研究得到国家自然科学基金、国家重点研发计划和中科院等有关项目的支持。...
解析半导体材料的种类和应用
直拉法应用最广，80%的硅单晶、大部分锗单晶和锑化铟单晶是用此法生产的，其中硅单晶的最大直径已达300毫米。在熔体中通入磁场的直拉法称为磁控拉晶法，用此法已生产出高均匀性硅单晶。在坩埚熔体表面加入液体覆盖剂称液封直拉法，用此法拉制砷化镓、磷化镓、磷化铟等分解压较大的单晶。悬浮区熔法的熔体不与容器接触，用此法生长高纯硅单晶。水平区熔法用以生产锗单晶。...