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在半导体行业,晶圆是用光刻技术制造和操作的。蚀刻是这一过程的主要部分,在这一过程中,材料可以被分层到一个非常具体的厚度。当这些层在晶圆表面被蚀刻时,等离子体监测被用来跟踪晶圆层的蚀刻,并确定等离子体何时完全蚀刻了一个特定的层并到达下一个层。通过监测等离子体在蚀刻过程中产生的发射线,可以精确跟踪蚀刻过程。这种终点检测对于使用基于等离子体的蚀刻工艺的半导体材料生产至关重要。...
通过监测在蚀刻期间由等离子体产生的发射光谱,可准确追踪蚀刻过程。这种终点检测对于使用基于等离子体的蚀刻工艺的半导体材料生产至关重要。等离子体监测可以通过灵活的模块化设置完成,基于Ocean HDX光谱仪的模块化光谱设置用于监测引入不同气体和纳米颗粒后氩等离子体发射光谱的变化。测量在封闭的反应室中进行,使用光纤和余弦校正器耦合到光谱仪,通过反应腔体中的小窗口进行观察。...
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