FAB GAAS DEVC-2005

Fabrication of GaAs Devices


 

 

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标准号
FAB GAAS DEVC-2005
发布日期
2005年01月01日
实施日期
2014年03月20日
废止日期
中国标准分类号
/
国际标准分类号
/
发布单位
IET - Institution of Engineering and Technology
引用标准
370
适用范围
The following topics are dealt with: semiconductor properties@ semiconductor growth@ cleaning; passivation; dry etching; ohmic contacts; Schottky contacts; field effect transistors; heterojunction bipolar transistors; wet oxidation; optoelectronic device; and MIS GaAs device. Authors A. Baca and C. Ashby




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