另一方面,由于宽带隙半导体中缺陷电子捕获截面分布范围较宽,超浅能级和深能级界面态都可能影响器件的频率色散和电流崩塌。因此,在更宽能量范围内评估界面态变得非常有意义。恒定电容深能级瞬态傅里叶光谱技术可实现10~400K温度范围内的测试,为上述需求提供了有效的表征解决方案。...
新近开发的表征技术包括高速原子力显微学,瞬态光谱,冷冻离子束刻蚀,高速超分辨显微学等手段都可能得到前所未有的关于生物界面的高精度结构和功能信息。除此之外,新型的材料合成手段也可能为生物界面提供新的机遇。举例来说,结合基因工程和生物矿化过程或许能够定点定向得在特定细胞内腔室处合成具有特定形貌的纳米半导体材料用于高精度生物检测或者高效能生物调控。...
d)代表性电池的正向(从-0.05到1.25 V)和反向(从1.25到-0.05 V)电流-电压曲线。扫描速率为33.3 mV s-1。图3 PSC缺陷特性表征a)代表温度(T)的(170-300 K)电容(C)-频率(f)光谱,得出缺陷的性质。b)ln(ω/T2)和1/T之间的阿累尼乌斯关系可计算钙钛矿中缺陷的能级(Et)和浅缺陷和深缺陷的特征逃逸频率,其中ω是ω×dC/dω的最大值。...
所有可以形成深能级的点缺陷均具有较大的缺陷形成能,不会影响器件的性能,而大部分存在于体相MAPbI3中的点缺陷会形成浅能级。另外,研究表明,即使薄膜中的I离子损失20%,MAPbI3的能级也不会改变(图5d)。...
Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号