ASTM F978-90(1996)e1
用瞬态电容技术表征半导体深能级的标准试验方法
Standard Test Method for Characterizing Semiconductor Deep Levels by Transient Capacitance Techniques
- 标准号
- ASTM F978-90(1996)e1
- 发布
- 2001年
- 发布单位
- 美国材料与试验协会
- 替代标准
- ASTM F978-02
- 当前最新
- ASTM F978-02
- 引用标准
- ASTM E177 ASTM E178 ASTM F419 MIL-STD-105
- 适用范围
- 1.1 本测试方法涵盖了通过瞬态电容技术确定半导体耗尽区深层缺陷中心发射率的密度、活化能和指数表达式的前因子的三个程序。程序 A 是传统的恒压深能级瞬态光谱 (DLTS) 技术，其中缓慢扫描温度并假定指数电容瞬态。程序 B 是传统的 DLTS（程序 A），对由于重陷阱掺杂和耗尽区不完全充电导致的非指数瞬态进行了修正。程序 C 是一种更精确的裁判技术，它使用一系列等温瞬态测量，并纠正与程序 B 相同的误差源。
1.2 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。