IEC 63275-2:2022
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Semiconductor devices - Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors - Part 2: Test method for bipolar degradation due to body diode operatio
- 标准号
- IEC 63275-2:2022
- 发布
- 2022年
- 发布单位
- 国际电工委员会
- 当前最新
- IEC 63275-2:2022
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