GJB 33/5-1987
半导体分立器件详细规范 GP、GT级2CL59K、2CL60K、2CL80K、2CL150K型硅高压整流堆详细规范

Detailed Specifications for Semiconductor Discrete Devices Detailed Specifications for GP and GT Grade 2CL59K, 2CL60K, 2CL80K, and 2CL150K Silicon High Voltage Rectifier Reactors

被代替

2022-03

半导体分立器件详细规范 GP、GT级2CL59K、2CL60K、2CL80K、2CL150K型硅高压整流堆详细规范 是非强制性国家标准，您可以免费下载预览页

哪些标准引用了GJB 33/5-1987

找不到引用GJB 33/5-1987 的标准

标准号: GJB 33/5-1987
发布: 1987年
发布单位: 国家军用标准-总装备部
替代标准: GJB 33/5A-2021
当前最新: GJB 33/5A-2021

GJB 33/5-1987相似标准

GJB 33/5A-2021 半导体分立器件2CL59K、2CL60K、2CL80K、2CL150K 型硅高压整流堆详细规范 SJ 20066-1992 半导体分立器件.2CL3型硅高压整流堆详细规范 GJB 33/4-1987 半导体分立器件详细规范 GP、GT级QL12300A、QL12300D和13300H型硅单相桥式整流器详细规范 SJ 50033/21-1994 半导体分立器件.2CZ75型硅开关整流二极管详细规范 SJ 50033.44-1994 半导体分立器件.2CZ105型硅开关整流二极管详细规范

推荐

二极管和三极管的命名原则

P－普通管、V－微波管、W－稳压管、C－参量管、Z－整流管、L－整流堆、S－隧道管、N－阻尼管、U－光电器件、K－开关管、X－低频小功率管（F3MHz，Pc1W）、A－高频大功率管（f＞3MHz，Pc＞1W）、T－半导体晶闸管（可控整流器）、Y－体效应器件、B－雪崩管、J－阶跃恢复管、CS－场效应管、BT－半导体特殊器件、FH－复合管、PIN－PIN型管、JG－激光器件。...

Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证：京ICP证110310号