GJB 33/5-1987
半导体分立器件详细规范 GP、GT级2CL59K、2CL60K、2CL80K、2CL150K型硅高压整流堆详细规范

Detailed Specifications for Semiconductor Discrete Devices Detailed Specifications for GP and GT Grade 2CL59K, 2CL60K, 2CL80K, and 2CL150K Silicon High Voltage Rectifier Reactors

被代替

GJB 33/5-1987 发布历史

GJB 33/5-1987由国家军用标准-总装备部 CN-GJB-Z 发布于 1987-08-07，并于 1988-03-01 实施。

GJB 33/5-1987 半导体分立器件详细规范 GP、GT级2CL59K、2CL60K、2CL80K、2CL150K型硅高压整流堆详细规范的最新版本是哪一版？

最新版本是 GJB 33/5A-2021 。

GJB 33/5-1987的历代版本如下：

• 2021年 GJB 33/5A-2021 半导体分立器件2CL59K、2CL60K、2CL80K、2CL150K 型硅高压整流堆详细规范
• 1987年 GJB 33/5-1987 半导体分立器件详细规范 GP、GT级2CL59K、2CL60K、2CL80K、2CL150K型硅高压整流堆详细规范

标准号

GJB 33/5-1987

发布

1987年

发布单位

国家军用标准-总装备部

替代标准

GJB 33/5A-2021

当前最新

GJB 33/5A-2021

 

 

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