ASTM F847-02
ASTM F847-02
- 标准号
- ASTM F847-02
- 发布
- 1970年
- 发布单位
- /
- 当前最新
- ASTM F847-02
- 引用标准
- ASTM E122 ASTM E82 ASTM F26
- 适用范围
- 1.1 这些测试方法涵盖了 a 的测定，即垂直于圆形硅片上基准平面的方向的晶体取向与晶片表面平面中平面的指定取向之间的角度偏差。
1.2 这些测试方法适用于平面长度值在 SEMI 规范 M 1 中为硅晶圆规定的范围内的晶圆。它们仅适用于角度偏差小于 65° 的晶圆。
1.3 这些测试方法所达到的定向精度直接取决于平坦表面与参考围栏对准的精度以及参考围栏相对于X射线束的定向精度。
1.4 包括以下两种测试方法： 截面 测试方法 A——X 射线边缘衍射法 8 至 13 测试方法 B——Laue 背反射 X 射线法 14 至 18 1.4.1 测试方法 A 是非破坏性的，与测试方法类似测试方法 F 26 的方法 A，不同之处在于它使用特殊的晶圆固定装置来相对于 X 射线测角仪唯一地定向晶圆。该技术能够比劳厄背反射法更精确地测量平面的晶体方向。
1.4.2 测试方法 B 也是非破坏性的，类似于测试方法 E 82 和 DIN 50 433，第 3 部分，不同之处在于它使用“即时”胶片和特殊夹具来相对于 X 射线定向平板光束。虽然它更简单、更快速，但它不具备测试方法 A 的精度，因为它使用的精度较低且较便宜的夹具和设备。它会生成测试的永久胶片记录。注 1——劳厄照片可被解释为提供有关晶片取向错误的晶体学方向的信息；然而，这超出了本测试方法的范围。希望进行此类解释的用户应参考测试方法 E 82 和 DIN 50 433 第 3 部分或标准 X 射线教科书。 2、3 对于不同的晶圆固定夹具，测试方法B也适用于晶圆表面取向的确定。
1.5 以英寸-磅为单位的数值应视为标准值。括号中给出的值仅供参考。
1.6 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。有关具体危险说明，请参阅第 6 节。