NF EN 62417:2010
半导体器件 - 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的移动离子测试

Dispositifs à semiconducteurs - Essais d'ions mobiles pour transistors à semiconducteur à oxyde métallique à effet de champ (MOSFET)

半导体器件 - 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的移动离子测试 不是强制性中国国家标准，您可以免费下载预览页

说明：

此图仅显示与当前标准最近的5级引用；
鼠标放置在图上可以看到标题编号；
此图可以通过鼠标滚轮放大或者缩小；
表示标准的节点，可以拖动；
绿色表示标准：NF EN 62417:2010 ，绿色、红色表示本平台存在此标准，您可以下载或者购买，灰色表示平台不存在此标准；
箭头终点方向的标准引用了起点方向的标准。

标准号: NF EN 62417:2010
发布: 2010年
发布单位: 法国标准化协会
当前最新: NF EN 62417:2010

NF EN 62417:2010相似标准

DS/EN 62417:2010 半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的移动离子测试 DIN EN 62417:2010-12 半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试 UNE-EN 62417:2010 半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试 EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) LST EN 62417-2010 半导体设备金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的移动离子测试（IEC 62417:2010）

推荐

场效应管的类型介绍

它和类双极主导电沟道的MOSFET的结构类似。它们一般用于漏源电压范围在200-3000伏的运行。功率MOSFET仍然被选择为漏源电压在1到200伏时的器件.　　ISFET是离子敏感的场效应晶体管（Ion-Sensitive Field Effect Transistor）,它用来测量溶液中的离子浓度。当离子浓度（例如pH值）改变，通过晶体管的电流将相应的改变。　　...

我国科研人员为氧化镓晶体管找到新结构方案

类似于硅经过氧气氛围退火处理可形成高阻表面层，氧化镓采用该手段制备电流阻挡层具有缺陷少、无扩散、成本低等特点，器件的击穿电压可达到534伏特，为目前电流阻挡层型氧化镓MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件最高值，功率品质因数超过了硅单极器件的理论极限。研究人员表示，这两项工作为氧化镓晶体管找到了新的技术路线和结构方案。...

四、功率半导体器件分类功率半导体按照不同的分类标准可以进行如下分类：1．按照控制特性分类不控型器件：即正向导通反向阻断，如常见的功率二极管；半控型器件：除了正负极，还有控制极，一旦开通无法通过控制极（栅极）关断，这类主要是指晶闸管（Thyristor）和它的派生器件；全控型器件：可通过栅极控制开关，常见的有双极结型晶体管（BJT）、栅极关断晶闸管（GTO）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET...

中科院金属所研发出新型门可调阻变存储器

　　近期，中国科学院金属研究所（以下简称金属所）沈阳材料科学国家研究中心与国内多家单位合作，研究团队通过设计二维半导体与二维铁电材料的特殊能带对齐方式，将金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）与非隧穿型的铁电忆阻器垂直组装，首次构筑了基于垂直架构的门电压可编程的二维铁电存储器。相关研究成果11月17日在线发表于《先进材料》（Advanced Materials）。　　...

NF EN 62417:2010半导体器件 - 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的移动离子测试