序号国家标准编号国 家 标 准 名 称代替标准号实施日期1GB/T 8151.22-2020锌精矿化学分析方法 第22部分:锌、铜、铅、铁、铝、钙和镁含量的测定 波长色散X射线荧光光谱法2021-08-012GB/T 8151.23-2020锌精矿化学分析方法 第23部分:汞含量的测定 固体进样直接法2021-08-013GB/T 8760-2020砷化镓单晶位错密度的测试方法GB...
磊晶圆需要特殊的机台,同时砷化镓原材料成本高出硅很多,最终导致砷化镓成品IC成本比较高。磊晶目前有两种,一种是化学的MOCVD,一种是物理的MBE。GaAs等III-V化合物薄膜电池的制备主要采用MOVPE和LPE技术,其中MOVPE方法制备GaAs薄膜电池受衬底位错,反应压力,III-V比率,总流量等诸多参数的影响。 GaAs(砷化镓)光电池大多采用液相外延法或MOCVD技术制备。...
磊晶圆需要特殊的机台,同时砷化镓原材料成本高出硅很多,最终导致砷化镓成品IC成本比较高。磊晶目前有两种,一种是化学的MOCVD,一种是物理的MBE。GaAs等III-V化合物薄膜电池的制备主要采用MOVPE和LPE技术,其中MOVPE方法制备GaAs薄膜电池受衬底位错,反应压力,III-V比率,总流量等诸多参数的影响。 GaAs(砷化镓)光电池大多采用液相外延法或MOCVD技术制备。...
、标志、运输和贮存9GB 39177-2020电压力锅能效限定值及能效等级10GB 40050-2021网络关键设备安全通用要求25项推荐性国家标准已实施序号标准号是否采标标准名称1GB/T 26017-2020高纯铜2GB/T 8760-2020砷化镓单晶位错密度的测试方法3GB/T 20975.21-2020铝及铝合金化学分析方法 第21部分:钙含量的测定4GB/T 2969-2020氧化钐5GB...
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