论文提出的读出电路可适用于其它三维交叉堆叠型非易失存储器，并因读出电路与阵列的设计参数直接相关，相关设计人员可根据其存储器的容量，设计出适用于不同容量存储器的、高性能的读出电路。该论文在国际上首次归纳分析了对三维交叉堆叠型存储器读操作有影响的五种因素，提出了第一种与三维新型非易失存储器阵列特性相关的读出电路，是世界上首篇关于三维相变存储器读出设计的文章。 ...
研究人员利用铁电畴壁在材料内部和界面处的稳定性差异，成功在铌酸锂单晶薄膜上实现了非易失性存储器和单极性选择管的无缝衔接，为非易失性铁电存储器的高密度集成提供了一个高效的解决方案。另外，研究人员在此基础上，进一步利用铁电畴壁的高度可控性，同样是在铌酸锂单晶薄膜上实现了非易失性场效应晶体管。...
这些结果表明，该铁电隧道结非易失存储器具有超快、超低功耗、高密度、长寿命、耐高温等优异特性，是目前综合性能最好的非易失存储器之一。 此外，该存储器还由于铁电隧穿层中畴的可连续翻转特性能实现电阻的连续调节，而且这一忆阻特性可用于构建超快的人工突触器件，从而用于开发超快人工神经网络存算一体系统。...
由国际电子电气工程师学会主办、中科院上海微系统与信息技术研究所和新加坡数据学院共同承办的第11届非易失性存储器国际研讨会于11月9日在上海落幕。来自美、俄、日等10个国家和地区的200多位专家学者和产业界人士，围绕非易失性存储器领域的最新进展进行了研讨。 与易失性存储器相比，非易失性存储器具有高速、高密度、可微缩、低功耗、抗辐射、断电后仍能保持数据等诸多优点，越来越受到世界各国的重视。...
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