ASTM F1388-92(2000) ASTM F1388-92(2000) 标准

适用范围: 1.1 本测试方法涵盖硅片的生成寿命和生成速度的测量。
1.2 测量需要制作保护环 MOS（金属-氧化物-硅）电容器。因此，该测试方法对硅晶片具有破坏性。
1.3 本试验也可适用于硅以外的半导体材料和二氧化硅以外的绝缘体，但本试验方法中没有给出这种情况下电容器制造的细节以及数据的分析和解释。
1.4 掺杂范围为1013至10 17 cm−3的p型和n型硅均可通过本测试方法进行评估。可测量的发电寿命的大致范围为 1 µs 至 10 ms。
1.5 本测试方法适用于体硅和外延硅。如果使用外延硅，外延层必须与衬底具有相同的导电类型，并且厚度至少应为深耗尽中最大耗尽宽度的两倍，以避免因外延界面接近而引起的误差（见12.4）。
1.6 在进行本测试方法中描述的测量之前，必须先完成测试方法F 1153中描述的测量，以确定最大电容、平衡最小电容和掺杂密度的值。
1.7 需要能够控制仪器和记录数据的数字计算机，并显着简化和提高数据采集和分析过程的准确性。
1.8 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。具体危险说明见 11.5 和 11.8。

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