1、2、5μm的p-FET和n-FET的开关比图3 基于CNT薄膜基CMOS FETs的基础逻辑门电路的制作和特性(a)反相器的电路图和显微镜图片(b)VDD从2到0.1之间变化时反相器的电压转换特性(VTC)曲线(c)VDD为1V和2V时的VTC曲线(蓝色)及其镜像(红色)(d)当VDD为0.2V、1V和2V时反相器的VIN依赖电压增益(e)NAND型、NOR型和XOR型CNT CMOS逻辑门电路的电路图...
课题组还研究了接触尺寸缩减对器件性能的影响,探索了器件整体尺寸的缩减,将碳纳米管器件的接触电极长度缩减到25纳米,在保证器件性能的前提下,实现了整体尺寸为60纳米的碳纳米管晶体管,并且成功演示了整体长度为240 nm的碳管CMOS反相器,这是目前所实现的最小的纳米反相器电路。...
【小结】 该研究成果不仅表明在10 nm以下的技术节点,碳纳米管CMOS器件较硅基CMOS器件具有明显优势,且有望达到由测不准原理和热力学定律所决定的二进制电子开关的性能极限,更展现出碳纳米管电子学的巨大潜力,为2020年之后的集成电路技术发展和选择提供了重要参考。...
3.工作速度CMOS反相器在电容负载情况下,它的开通时间与关闭时间是相等的,这是因为电路具有互补对称的性质。下图表示当vI=0V时 ,TN截止,TP导通,由VDD通过TP向负载电容CL充电的情况。由于CMOS反相器中,两管的gm值均设计得较大,其导通电阻较小,充电回路的时间常数较小。类似地,亦可分析电容CL的放电过程。CMOS反相器的平均传输延迟时间约为10ns。...
Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号