随着人们对实现具有新功能和超强计算能力的新型计算架构越来越感兴趣,开发高性能氧化物半导体晶体管以实现兼容CMOS 后端工艺的单片三维集成电路已迫在眉睫。 在该研究中,研究团队首先利用原子层沉积工艺,实现了基于多晶ZnO半导体的高性能薄膜晶体管(TFT),该TFT的电子迁移率可达140 平方厘米每伏秒,电流开关比大于108,栅极漏电流小于10至11安。...
图2 通过分子模拟计算得到的不同手性碳纳米管与新型半导体聚合物P-DPPb5T相互作用示意图。(Nanoscale, 2016, 8, 4588-4598.) 图3 印刷p型和n型构建示意图、CMOS反相器性能图以及3阶环形振荡器。图4 可印刷半导体碳纳米管墨水...
下面这两张图是CMOS反相器的版图,即俯视图。一张没有做标记,一张做了标记。电路图是做设计时的一种抽象的符号,而版图则是在工厂生产电路的时候,需要的投影模板的形状,所以它必须是俯视图。集成电路的生产是在硅片上不断用各种形状的掩膜版遮挡住不要被光线曝光的部分,来进行生产的(具体细节找本工艺书或者集成电路的书都会有粗略的介绍)。 ...
他们还研究了器件整体尺寸的缩减及其对器件性能的影响,将碳管器件的接触电极长度缩减到25纳米,在保证性能的前提下,实现了整体尺寸为60纳米的碳纳米晶体管,并且成功演示了整体长度为240纳米的碳管CMOS反相器,这是目前实现的最小纳米反相器电路。...
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