T/QDAS 070-2021
二极管扩散片硼扩散液态源配方

Formula of boron diffusion liquid source for diode diffuser

二极管扩散片硼扩散液态源配方 是非强制性国家标准，您可以免费下载预览页

高级搜索

非常抱歉，我们暂时无法提供预览，您可以试试：免费下载 T/QDAS 070-2021 前三页，或者稍后再访问。

您也可以尝试购买此标准，
点击右侧 “购买” 按钮开始采购（由第三方提供）。

注意：点击下载后，生成下载文件时间比较长，请耐心等待......

标准号: T/QDAS 070-2021
发布: 2021年
发布单位: 中国团体标准
当前最新: T/QDAS 070-2021

适用范围: 本文件规定了二极管扩散片硼扩散液态源配方的术语和定义、试剂和材料、仪器和设备、三氧化二硼/乙二醇乙醚溶液配制、硝酸铝/乙二醇乙醚溶液配制和硼扩散液态源配制等内容。本文件适用于二极管扩散片硼扩散液态源的配制。

T/QDAS 070-2021相似标准

GJB 584-1988 陶瓷片状磷、硼扩散源 T/QDAS 050-2020 二极管扩散片研发规程 GB/T 14863-1993 用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法 T/QGCML 097-2021 二极管扩散片包装技术规范 T/QGCML 030-2020 二极管扩散片常规电性标准

推荐

.: 基于气-液-固法实现介质衬底表面大面积多层六方氮化硼制备

值得一提的是，Fe82B18合金具有较低的熔点（~1174 ºC），该合金不仅可以持续提供B源，还可以催化N2裂解形成N原子，促进合金体系中B原子与N原子化合形成B-N对并溶解至液态合金中，通过液态合金中存在的大量空位所构成的扩散通道扩散至液态Fe82B18合金/固态sapphire衬底界面形成h-BN，进一步利用sapphire与h-BN取向关系促进多层h-BN外延生长（图1d）。...

半导体专业术语含义

包含源、漏、栅、衬四端，由源经栅到漏的多子流驱动而工作，多子流由栅下的横向电场控制。77. film：薄膜，圆片上的一层或多层迭加的物质。...

Coleman和Toby Hallam（共同通讯）等人研究了基于液相剥离法制备的纳米片，并用其制作了全印刷的薄膜晶体管。实验中利用电解液栅极证明了全印刷、垂直堆叠的晶体管是可行的，这些晶体管是由石墨烯源极、漏极和栅电极构成，还包括过渡金属硫族化物沟道以及氮化硼隔离层，上述材料都是由纳米片网络构成的。纳米片网络表现出了接近600的开/关率，其跨导超过5mS，迁移率大于0.1 cm2V-1s-1。...

芯片制作工艺流程

15) 表面涂敷光阻，去除P阱区的光阻，注入砷 (As) 离子，形成NMOS的源漏极。用同样的方法，在N阱区，注入B离子形成PMOS的源漏极。 16) 利用PECVD 沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。 17) 沉积掺杂硼磷的氧化层含有硼磷杂质的SiO2层，有较低的熔点，硼磷氧化层(BPSG)加热到800 oC时会软化并有流动特性，可使晶圆表面初级平坦化。 ...

T/QDAS 070-2021 中可能用到的仪器设备

光源/氙灯光源/汞灯光源

T/QDAS 070-2021二极管扩散片硼扩散液态源配方