DB13/T 5696-2023
基于高温反偏试验的GaN HEMT 射频功率器件缺陷快速筛选方法
Rapid defect screening method for GaN HEMT RF power devices based on high temperature reverse bias test
DB13/T 5696-2023相似标准
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干货 | 第三代半导体器件可靠性检测知多少？
/Efficiency……ESD测试HBM/CDM/TLP专用测试BVDSS / VGS(th) / IDSS / IGSS / RDS(on) / gfs / Cies / Coes / Cres……可靠性评估湿热试验TH/UHAST/Autoclave高温高湿反偏试验H3TRB/HAST/AC-HTC温度循环试验TC功率循环试验PC/IOL高温工作寿命试验HTRB/HTGB/HTOL/RF-HTOL...
俄启动氮化镓晶体管研制工作 | 氮化镓缘何左右逢源，四无敌手？
因此，基站开始采用射频氮化镓器件来替代LDMOS器件。LDMOS器件物理上已经遇到极限，这就是氮化镓器件进入市场的原因。基站应用需要更高的峰值功率、更宽的带宽以及更高的频率，这些因素都促成了基站接受氮化镓器件。制造氮化镓器件有两种方式，一种是Qorvo和其他大多数厂商都采用的基于碳化硅的氮化镓射频工艺，一种是Macom主导的基于硅的氮化镓射频工艺。...
第三代半导体材料国内外技术竞争分析
第三代半导体材料半导体材料是指导电性介于绝缘体和导体之间的材料，如硅、锗等。从能带角度看，可以划分为三个半导体材料时代衬底国内开始批量生产4英寸SiC导电衬底，并开发出6英寸样品。但是，国产SiC衬底仍存在相对较高的位错缺陷密度。国内已开发出射频器件用2英寸SiC高阻衬底材料。目前能够批量供应2英寸GaN衬底，已开发出4英寸GaN衬底样品。...
第三代半导体材料及应用产业发展报告（2016）
SiC衬底的射频微波功率用GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）外延片已实现产业化。GaN电力电子器件方面，目前已推出耐压650V及以下系列 Si基GaN功率器件，主要应用于服务器电源（PFC）、车载充电、光伏逆变器等。2016年3月，美国Navitas公司推出650V单片集成GaN功率场效应晶体管（FET），以及GaN逻辑和驱动电路。...