半导体器件 栅极电介质薄层的瞬态电介质击穿 (TDDB) 测试, 您可以免费下载预览页
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以下是ALD技术使GaN功率器件增效的五个方面:膜质量 (Film Quality)一致性 (Conformality)可控性 (Control)低损伤 (Low Damage)预处理 (Pre-treatments)1膜质量氮化镓晶体管的栅极电介质薄膜必须高质量,才能降低电流的泄漏,从而产生更高的击穿电压。等离子增强ALD技术的优点是可以精准可靠地沉积致密层,从而优化器件性能。...
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