分类(来源:2007年版的《军用电子元器件合格产品目录》)电阻最可靠的元件之一失效模式:开路、机械损伤、接点损坏、短路、绝缘击穿、焊接点老化造成的电阻值漂移量超过容差电位器失效模式:接触不良、滑动噪声大、开路等二极管集成电路失效模式:漏电或短路,击穿特性劣变,正向压降劣变,开路可高阻失效机理:电迁移,热载流子效应,与时间相关的介质击穿(TDDB),表面氧化层缺陷,绝缘层缺陷,外延层缺陷声表面波器件MEMS...
HTGB(高温栅偏试验)验证了栅极连接半导体器件的电负荷、热负荷随时间的综合效应,评估了栅极介电性的完整性、半导体/介电边界层的状态和可移动离子对半导体的污染。其模拟了加速条件下的模块工作状态,用于器件鉴定和可靠性监测。测试标准介绍车规级功率模块测试标准最常见的测试标准是由 ECPE 欧洲电力电子研究中心发布的AQG324,其中有对静态HTXB测试进行详细的规范。...
【引言】模拟生物神经开发人工突触触觉感知系统在物联网和人工智能领域具有巨大的应用潜力。然而,实现低功耗、低成本、低复杂性和高效率的新型传感策略仍然面临挑战。作为最常见的人工突触器件,液体离子栅晶体管可以模拟各种生物突触信号,其采用离子液体代替高k固体材料作为栅极介电层,具有调控沟道电导能力强的优点。然而,上述两种栅介质结构晶体管均存在制备过程复杂,成本较高的问题。...
b)突触晶体管在不同基板上放置时,在0 V处的滞后窗口和ON-OFF比率。器件在两种极端弯曲条件下的照片(c)及长期增强,长期抑制特征(d)。1Figure 7. 具有HZO作为介电层的无结铁电FinFET(a)具有HZO作为介电层的无结铁电FinFET的器件结构。(b)受激神经网络的示意图。(c)模式识别准确度与状态水平的比较。1Figure 8. ...
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