相变存储器电性能测试方法 是非强制性国家标准,您可以免费下载预览页
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通过制备200 nm、120 nm和60 nm T型下电级器件的单质锑相变存储器件,研究发现随着器件尺寸减小,单质锑相变存储器的速度越快。200 nm 单质锑器件最快的写速度为359 ps(见图1),当器件尺寸微缩至60 nm时,写速度为~242 ps, 比传统Ge2Sb2Te5的快近100倍(20 ns)。...
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