T/CSTM 01003-2023由中国团体标准 CN-TUANTI 发布于 2023-03-07，并于 2023-03-14 实施。
T/CSTM 01003-2023在国际标准分类中归属于: 31.200 集成电路、微电子学。
本文件规定了相变存储单元器件的电性能测试方法，分为器件性能测试和器件可靠性测试，器件性能测试包括电流-电压特性、存储窗口、置位时间、置位电压、复位时间、复位电压、功耗；器件可靠性测试包括耐久性和数据保持时间。 本文件适用于相变存储单元器件（以下简称器件）。
目前关于相变存储器、磁性存储器、电阻式存储器、铁电存储器闪存、新型存储器等研究已取得重大进展。 中科院微电子所所长叶甜春表示，此次会议对提高我国在国际非易失性存储器领域的学术地位和影响力具有重要意义。 ...
测试结果证明材料的高速存储性能具有重复性和稳定性。...
研究结果表明，柔性结构基元经历了“结构有序—部分无序—高度无序”的转变阶段，与抗衡离子的位移协同诱导化合物在364 K和368 K附近依次发生了反铁电—铁电—顺电的结构相变，进一步通过变温晶体结构、非线性光学与电学性能等测试证实了此过程。...
相变存储器是一种非易失性存储器，它利用相变材料从非晶态（原子无序排列）转变为晶态（原子紧密堆积在一起）的能力。这种变化产生了可逆的电特性，可用于存储和检索数据。近年来，二维范德华过渡金属二硫属化物已成为一种有前景的相变材料，可用于相变存储器。 虽然这一领域还处于起步阶段，但相变存储器由于其高存储密度和更快的读写能力，有望彻底改变数据存储。...
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