氮化镓(GaN)因为缺乏合适的单晶衬底材料,基本上是在蓝宝石,SiC或者Si的基板材料上采用MOCVD或者MBE等外延技术生长出基本的器件结构,由于是异质外延,因此材料缺陷比较多,位错密度比较大,在上世纪90年代以前发展缓慢。进入90年代以后,日本在LED应用技术上取得了巨大的进展,特别是在中国大陆在过去10多年LED市场的高速发展,带动了GaN材料产业的产业化进程。 ...
演讲提纲:从特斯拉电动车倡议碳化硅功率器件开始,全球各个高功率器件厂商无不卯足全力抢蚀电动车逆变器此一大饼市场,今年更是碳化硅功率器件爆炸性成长的一年,然而碳化硅的基板与外延,对于缺陷控制仍是一大挑战,导致目前器件成本仍高居不下,要达成六寸(或是八寸)碳化硅每片低于500美元,同时提升良率的梦想,牛津仪器提出的等离子刻蚀抛光技术,将是提升外延品质的重要第一站工艺。...
演讲提纲:从特斯拉电动车倡议碳化硅功率器件开始,全球各个高功率器件厂商无不卯足全力抢蚀电动车逆变器此一大饼市场,今年更是碳化硅功率器件爆炸性成长的一年,然而碳化硅的基板与外延,对于缺陷控制仍是一大挑战,导致目前器件成本仍高居不下,要达成六寸(或是八寸)碳化硅每片低于500美元,同时提升良率的梦想,牛津仪器提出的等离子刻蚀抛光技术,将是提升外延品质的重要第一站工艺。...
虽然需求巨大,但其制备速度缓慢,利用率一直徘徊在25%左右,成为制约其进入实际应用的瓶颈之一。目前制备高质量石墨烯的方法,除胶带剥离法、碳化硅或金属表面外延生长法外,主要是化学气相沉积法。但通过CVD技术生产单晶石墨烯薄膜仍然需要耗费很长的时间,制备一块厘米见方的单晶石墨烯薄膜至少需要一天的时间,十分缓慢。 ...
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