3.Probing Pad在复杂IC线路中任意位置引出测试点, 以便进一步使用探针台(Probe- station) 或 E-beam 直接观测IC内部信号。4.FIB透射电镜样品制备这一技术的特点是从纳米或微米尺度的试样中直接切取可供透射电镜或高分辨电镜研究的薄膜。试样可以为IC芯片、纳米材料、颗粒或表面改性后的包覆颗粒,对于纤维状试样,既可以切取横切面薄膜也可以切取纵切面薄膜。...
3.Probing Pad在复杂IC线路中任意位置引出测试点, 以便进一步使用探针台(Probe- station) 或 E-beam 直接观测IC内部信号。4.FIB透射电镜样品制备这一技术的特点是从纳米或微米尺度的试样中直接切取可供透射电镜或高分辨电镜研究的薄膜。试样可以为IC芯片、纳米材料、颗粒或表面改性后的包覆颗粒,对于纤维状试样,既可以切取横切面薄膜也可以切取纵切面薄膜。...
3.Probing Pad在复杂IC线路中任意位置引出测试点, 以便进一步使用探针台(Probe- station) 或 E-beam 直接观测IC内部信号。4.FIB透射电镜样品制备这一技术的特点是从纳米或微米尺度的试样中直接切取可供透射电镜或高分辨电镜研究的薄膜。试样可以为IC芯片、纳米材料、颗粒或表面改性后的包覆颗粒,对于纤维状试样,既可以切取横切面薄膜也可以切取纵切面薄膜。...
该研究采用AAO纳米模板辅助PLD技术制备出具有三维异质界面结构的Ni0.5Zn0.5Fe2O4/BaTiO3(NZFO/BTO)纳米复合薄膜。其中以经典的铁电BTO纳米柱阵列作为相变核心再用NZFO铁磁层包覆,最终构建出几乎完美的三维异质界面。由于界面处位错缺陷极少,同时三维结构能极大地削弱源自基板的夹持效应,使BTO纳米柱的相变应力有效的作用于铁磁层。...
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