其次，完全自主知识产权、自主研发的碳化硅外延技术有助于打破目前的垄断，降低降低成本， 为大规模应用创造条件。目前，美国的CREE公司约占市场上的碳化硅材料外延以及碳化硅器件销售额的90%左右，主要面向1700V以下的中低电压市场，对于高压器件支持力度不大，并且依据其在技术上的先发优势形成垄断，价格远远高于成本。...
在高压方面的话，器件的类型趋向于使用于双极器件，对少子寿命要求比较高，从右面这个图我们可以看到，要达到一个理想的正向电流它的少子寿命至少要达到5μs以上，目前的外延片的少子寿命的参数大概在1~2个μs左右，所以说还对高压器件的需求目前来说还没法满足，还需要后处理技术。 ...
用SiC MOSFET或SiC MOSFET与SiC SBD结合的功率模块的光伏逆变器，峰值能源转换效率可从96%提升至99%以上，逆变器能量损耗降低50%以上，设备循环寿命提升50倍，从而能够缩小系统体积、延长器件使用寿命。高效、高功率密度、高可靠和低成本是光伏逆变器的未来发展趋势。...
13.碳化硅与碳化硅（SiC）功率器件在用新型半导体材料制成的功率器件中，最有希望的是碳化硅（SiC）功率器件。它的性能指标比砷化镓器件还要高一个数量级，碳化硅与其他半导体材料相比，具有下列优异的物理特点：高的禁带宽度，高的饱和电子漂移速度，高的击穿强度，低的介电常数和高的热导率。上述这些优异的物理特性，决定了碳化硅在高温、高频率、高功率的应用场合是极为理想的半导体材料。...
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