正因为这些优点,使ICP-MS分析技术广泛应 用于半导体工业用高纯材料的痕量杂质分析中.主要进行的高纯材料分析1. IC硅片表面杂质分析2. 光伏多晶硅、单晶硅杂质分析3. 三氯氢硅、四氯化硅: ICP.MS法测定高纯四氯化硅中们、V、cr、‘ Co、Ni、Cu、Pb、Zn、Mn九种金属元素.4....
ICP-MS技术尤其四极杆型ICP-MS技术具备极低的检测限和快速多元素测定功能,已逐渐成为半导体行业污染分析实验室的标准技术,在硅片表面杂质分析、超纯水、超纯试剂分析、高纯气体分析等多个方面应用广泛。目前,半导体行业所使用的ICP-MS基本被美国及日本厂商垄断。...
高纯金属中痕量元素的检测方法应具有极高的灵敏度,痕量元素的化学分析系指1g样品中含有微毫克级(10-6g/g)、毫微克级(10-9g/g)和微微克级(10-12g/g)杂质的确定。随着各学科研究的深入,待测元素含量越来越低,普通的滴定分析等无法准确测定痕量元素,因此促进了仪器测试技术不断发展,痕量、超痕量多元素的同时或连续测定已成为可能。...
因此,ICP-MS被广泛应用于材料、食品安全、地质、医药和环境分析等领域。本文主要利用ICP-MS法,同时测定了水中的铍、硼、铝、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、砷、硒、钼、镉、锑、钡、铊、铅等20中金属元素。2. 实验部分2.1 实验仪器及材料主要仪器:Agilent 7700x ICP-MS仪(美国安捷伦公司)、高纯氩气、氦气100ml容量瓶、Milli-Q超纯水仪、移液枪、容量瓶。...
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