ASTM F1192-11(2018)
标准指南 用于测量由半导体器件的重离子辐照引起的单一事件现象（SEP）
Standard Guide for the Measurement of Single Event Phenomena (SEP) Induced by Heavy Ion Irradiation of Semiconductor Devices
- 标准号
- ASTM F1192-11(2018)
- 发布
- 2018年
- 发布单位
- 美国材料与试验协会
- 当前最新
- ASTM F1192-11(2018)
- 适用范围
- 1.1 本指南定义了测试集成电路和其他器件的单粒子现象（SEP）影响的要求和程序，该单粒子现象（SEP）是由原子序数 Z ≥ 2 的重离子辐照引起的。本描述特别排除了中子、质子、以及其他可能通过另一种机制诱发 SEP 的较轻颗粒。 SEP 包括由单次离子撞击引起的扰动的任何表现形式，包括软错误（一个或多个同时可逆位翻转）、硬错误（不可逆位翻转）、闭锁（持续高导通状态）、组合器件中引起的瞬态，这些瞬态可能会引入附近电路中的软错误、功率场效应晶体管 (FET) 烧毁和栅极破裂。该测试可能被认为是破坏性的，因为它通常涉及在辐照之前移除设备盖。位翻转通常与数字器件相关，而闩锁通常仅限于体互补金属氧化物半导体 (CMOS) 器件，但在组合逻辑可编程只读存储器 (PROM) 和某些线性器件中也可以观察到重离子引起的 SEP。可以响应重离子感应电荷瞬变。功率晶体管可通过 MIL STD 750 方法 1080 中规定的程序进行测试。
1.2 此处描述的程序可用于模拟和预测自然空间环境产生的 SEP，包括银河宇宙射线、行星捕获离子和太阳耀斑。然而，这些技术并不能模拟军事项目中提出的重离子束效应。测试的最终产品是 SEP 横截面（每单位注量的翻转次数）作为离子 LET（沿着离子穿过半导体的路径沉积的线性能量转移或电离）的函数的图。该数据可以与系统的重离子环境相结合来估计系统故障率。
1.3 虽然质子可以引起SEP，但本指南不包括它们。正在考虑制定一份针对质子诱导 SEP 的单独指南。
1.4 以 SI 单位表示的值应被视为标准值。本标准不包含其他计量单位。
1.5 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任建立适当的安全、健康和环境实践，并在使用前确定监管限制的适用性。
1.6 本国际标准是根据世界贸易组织贸易技术壁垒（TBT）委员会发布的《关于制定国际标准、指南和建议的原则的决定》中确立的国际公认的标准化原则制定的。