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钛阳极键合微流控器件通道宽度100um和通道间距200~600um的晶圆级阳极键合钛微流控器件阵列该研究团队证明了在没有粘合剂或中介层的情况下,首次用阳极键合工艺成功实现体钛和玻璃基板的晶圆级键合。在低至250℃的温度下实现超过玻璃强度的键合强度。通过结合该研究团队掌握的钛DRIE(深反应离子刻蚀)能力,制造出了晶圆级功能性钛/玻璃基微流体器件。...
在这种情况下,MEMS标准化的核心是开发一种或多种适用性较强、稳定的、成品率较高的工艺模块,并在此基础上建立相应的设计准则。因此,硅基MEMS制造技术标准代表了目前国际的主流方向,也是MEMS标准化的核心内容,具有极其重要的意义。(2) 微键合区键合强度的检测键合是MEMS中最常用的工艺之一,键合强度是键合工艺的一个重要的评价指标。传统键合强度检测方法只能针对圆片级或大面积键合结构的评价。...
封装应力模拟对于特定吸收功率,高热隔离度确保冷热端之间的温差最大化, 这是从热电堆获得大输出电压的重要因素。使用MEMS封装可以选择腔内气体,压力选择范围100Bar至100mBar。气体导热性会影响温度传导速度,以及热电堆冷热端之间的温差,进而影响输出电压变化和传感器效率。MEMS封装是通过晶圆片间的引线键合技术实现的。...
更重要的是,硅基 IPD 技术可以通过标准的CMOS 半导体制造工艺与微波 MMIC 芯片集成 ,充分利用硅基半导体加工精度高集成度高的特点实现大规模量产。在同时集成 IPD 和 TSV 的晶元上还可以进行圆片级三维堆叠和无引线键合。但在传统 CMOS 工艺体系上同时集成 IPD 与 TSV 是一项复杂的工作,特别是针对微波应用,需要同时在材料、工艺和架构上进行创新 。...
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